图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 IPB031NE7N3 G |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 75V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 100A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 3.1 mOhm @ 100A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3.8V @ 155µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 117nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 8130pF @ 37.5V |
| 功率 - 最大 | 214W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-2 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
IPB031NE7N3 G也可以通过以下分类找到
IPB031NE7N3 G相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家
